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功率MOSFET关断损耗计算攻略
发布日期:2019-09-20 18:09   来源:未知   阅读:

  的感性负载关断过程和开通过程一样,有4个阶段,但是时间常数不一样。驱动回路的等效电路图如图1所示,RG1为功率内部的栅极电阻,RDown为驱动电路的下拉电阻,关断时栅极总的等效串联栅极电阻RGoff=RDown+RG1+RG2。

  从t7时刻开始,ID电流从最大值减小,VDS电压保持电源电压VDD不变,当VGS电压减小到VGS(th)时,ID电流也减小到约为0时,这个阶段结束。

  这个阶段为ID电流为0,VDS电压保持电源电压VDD不变,当VGS电压减小到0时,这个阶段结束,VGS电压的变化公式和模式1相同。

  在关断过程中,t6~t7和t7~t8二个阶段电流和电压产生重叠交越区,因此产生开关损耗。白色帆布鞋怎么洗干净、方便

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